特許

J-GLOBAL ID：200903033474920365

薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法並びに太陽電池

発明者： 上田 仁 ,  高木 朋子 ,  伊藤 憲和
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-160677
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006537
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】第1の薄膜形成過程の材料ガス及び残留物質が、第2の薄膜形成過程で形成される薄膜の特性に影響を与えることがなく、所望の特性の薄膜が得ることができ、また、同一のチャンバ内で複数の薄膜が積層形成されるので、複数のチャンバを設ける必要が無くなり、装置のコンパクト化及びコストダウンが可能となる薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】アンテナ式プラズマCVD法(化学的気相成長法)により基板10に複数の薄膜を同一チャンバ2内で形成する薄膜形成装置1であって、複数の薄膜のうち第1薄膜の次に形成する第2薄膜の特性に影響を与え、かつ、第1薄膜形成過程に起因した残留物質をチャンバ2内から除去する残留物質除去手段を備えることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

アンテナ式プラズマCVD法(化学的気相成長法)により基板に複数の薄膜を同一チャンバ内で形成する薄膜形成装置であって、 前記複数の薄膜のうち第1薄膜の次に形成する第2薄膜の特性に影響を与え、かつ、第1薄膜形成過程に起因した残留物質を前記チャンバ内から除去する残留物質除去手段を備えることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  H01L31/04

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J ,  C23C16/505 ,  H01L31/04 V

Fターム (39件)：

4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA08 ,  4K030AA20 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA06 ,  4K030FA02 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB06 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045CA13 ,  5F045DP11 ,  5F045EB06 ,  5F045EE04 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EH02 ,  5F045EK07 ,  5F045HA23 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CA16 ,  5F051CA35 ,  5F051CA37 ,  5F051DA04 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03