特許

J-GLOBAL ID：200903033476580308

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 五十嵐 崇 ,  松崎 栄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社東日本セミコンダクタテクノロジ-ズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287952
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100683
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CMPにおけるパッドドレス量の定量的評価をインサイチューで実施することが可能な技術を提供する。【解決手段】 ウェハ2をパッド8に押圧した状態で、ウェハ2及びパッド8を夫々回転させてウェハ2の研磨を行なう半導体装置の製造装置に関し、前記パッド8の回転方向に沿って、パッド8のドレッシングを行なうコンディショナ12の後方に、表面清浄化装置20と測定装置21とを順に近接して設ける。そして、この製造装置を用いた半導体装置の製造方法に関して、ウェハ2の研磨処理と並行して、パッド8の表面状態を測定し、その測定結果に基づいてドレッシングを行なう。この構成によれば、研磨中におけるパッド8の状態のモニタリングが可能になる。その結果、適切なドレッシングを行なうことにより、ウェハ2の研磨速度が安定化し、また、過剰なドレスによるドレッサ並びにパッド材料の消費を防止することができる。

請求項（抜粋）：

ウェハをパッドに押圧した状態で、ウェハ及びパッドを夫々回転させてウェハの研磨を行なう半導体装置の製造装置において、前記パッドの回転方向に沿って、パッドのドレッシングを行なうコンディショナの後方に、表面清浄化装置と表面状態測定装置とを順に近接して設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 53/007 ,  B24B 53/02

FI (4件)：

H01L 21/304 622 M ,  B24B 37/00 A ,  B24B 53/007 ,  B24B 53/02

Fターム (10件)：

3C047AA22 ,  3C047AA34 ,  3C047BB01 ,  3C047BB10 ,  3C047BB16 ,  3C058AA07 ,  3C058AA19 ,  3C058AC02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05