特許

J-GLOBAL ID：200903033483779578

半導体素子

発明者： 宮永 昭治 ,  井上 亨 ,  角野 真也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-280654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115261
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【課題】 ダイヤモンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜と基体間の密着性強化を図り、実用性に富んだダイヤモンド薄膜装置を提供する。【解決手段】基体に接するダイヤモンドライクカーボンを減圧状態の酸素雰囲気中で加熱することによって、前記基体と前記ダイヤモンドライクカーボンの間に中間層を形成することを特徴とするダイヤモンドライクカーボンの形成方法。

請求項（抜粋）：

基体に接するダイヤモンドライクカーボンを減圧状態の酸素雰囲気中で加熱することによって、前記基体と前記ダイヤモンドライクカーボンの間に中間層を形成することを特徴とするダイヤモンドライクカーボンの形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/56

FI (3件)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/56

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-065091