特許

J-GLOBAL ID：200903033485552902

赤外線放射素子

発明者： 古田土 節夫
出願人/特許権者： アンリツ株式会社
代理人 (1件)： 早川 誠志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036153
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236110
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 素子単品で回路に実装でき、低コスト化を実現する。【解決手段】 赤外線放射素子30は、一面側から反対面に貫通する穴32を有する素子基板31と、素子基板31の一面側に形成され、穴32の開口面を横切る橋梁状の発熱部33aを有し、通電により発熱部33aから赤外線を放射させるp型半導体層33と、発熱部33aに通電するためにp型半導体層33上に形成された一対の電極35、36と、素子基板31の一面側の端部に形成され、一対の電極35、36にそれぞれ接続された電力供給用の一対の端子40、41と、素子補強のために素子基板の反対面に固定された補強基板43とを備えており、補強基板43によって素子全体が補強され、且つ、端子40、41が素子基板31の一面側の端部に形成されているので、素子単品で回路や装置に簡単に組み込むことができる。

請求項（抜粋）：

一面側から反対面に貫通する穴または一面側から反対面側へ陥没する陥没部を有する素子基板と、前記素子基板の前記一面側に形成され、前記穴または陥没部の開口面を横切る橋梁状の発熱部を有し、通電により前記発熱部から赤外線を放射させる半導体層と、前記発熱部に通電するために前記半導体層上に形成された一対の電極と、前記素子基板の前記一面側に端部に形成され、前記一対の電極にそれぞれ接続された電力供給用の一対の端子と、素子補強のために前記素子基板の前記反対面に固定された補強基板とを備えた赤外線放射素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/14

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H05B 3/10 B ,  H05B 3/14 B

Fターム (17件)：

3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB62 ,  3K092QB69 ,  3K092QB78 ,  3K092QB80 ,  3K092QC02 ,  3K092QC37 ,  3K092RF03 ,  3K092RF08 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092SS39 ,  3K092SS47 ,  3K092SS48 ,  3K092VV04