特許
J-GLOBAL ID：200903033486061910
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102156
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗且つエレクトロマイグレーション耐性,ストレスマイグレーション耐性の高い電極配線を備えた半導体装置を実現する。【構成】 シリコン基板11上に絶縁膜12を形成し、コンタクトホールを開口した後、Ti膜14,TiW15,Ag-Cu膜16を順次形成する。このAg-Cu膜16は、Cuが1.5重量%含有されたAg合金であり、プロセス中で行なわれる熱処理(シンター)でCuが析出硬化して、配線の機械的強度は著しく高まる。また、Cuの濃度が0.1〜5.0重量%の範囲では、配線抵抗の上昇を微少に抑えることができ、高い導電性であるため、半導体装置の性能が向上する。
請求項（抜粋）：
Ag金属中に0.1〜0.5重量%のCuを含有するAg合金で成る電極配線を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 29/46
