特許

J-GLOBAL ID：200903033497327750

窒化物半導体発光ダイオード

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229080
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162671
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 電流の増加に比例して光度が増加する窒化ガリウム系化合物半導体LEDを実現する。【構成】 少なくともn型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(0<X<0.5、0≦Y、X+Y<1)を活性層としたダブルへテロ構造の窒化物半導体発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードは順方向電流40mAにおける発光において、430nm〜550nmに第一の発光ピークを有し、360nm〜450nmの間に第二の発光ピークを有し、第二の発光ピークの強度が第一の発光ピークの強度の50%以下である。

請求項（抜粋）：

少なくともn型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(0<X<0.5、0≦Y、X+Y<1)を活性層としたダブルへテロ構造の窒化物半導体発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードは順方向電流40mAにおける発光において、430nm〜550nmに第一の発光ピークを有し、360nm〜450nmの間に第二の発光ピークを有し、第二の発光ピークの強度が第一の発光ピークの強度の50%以下であることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。