特許
J-GLOBAL ID：200903033498739963
半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303278
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204308
出願日： 1984年05月22日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 各ウエハ毎に、各ウエハに形成された各半導体チップを製造誤差によらず正確に位置認識する半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法。【構成】 各ウエハの中心を求め、この中心からの予め記憶されている特殊パターン位置を読み出し、実ウエハの正規チップパターンを検出して、実ウエハでの特殊パターン位置を認識する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの中心を求める工程と、上記中心から予め定められた特殊パターンまでの座標が記憶されたメモリから、上記半導体ウエハの特殊パターン位置を読み出す工程と、上記特殊パターンおよびこのパターン周辺の正規チップパターンを光学的に検出する工程と、この工程により得られたデータにより上記特殊パターンの位置を認識する工程とを具備したことを特徴とする半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法。
IPC (2件)：
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