特許

J-GLOBAL ID：200903033498822151

圧電薄膜を用いた素子

発明者： 岡 史人 ,  柴田 憲治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-119371
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294593
出願日： 2006年04月24日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】周囲の温度変化により比誘電率や圧電特性が変化せず、かつ鉛フリーで圧電特性の優れた圧電薄膜を用いた素子を提供する。【解決手段】基板11上に、下部電極層12、圧電薄膜からなる圧電体層、上部電極層12を順次形成した圧電薄膜を用いた素子10において、圧電体層は、(Nax Ky Liz )NbO3 (0<x<1,0<y<1,0<z≦0.05,x+y+z=1)で表されるアルカリニオブ酸化物膜1であり、かつそのアルカリニオブ酸化物膜1の結晶構造が常温で正方晶であるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、下部電極層、圧電薄膜からなる圧電体層、上部電極層を順次形成した圧電薄膜を用いた素子において、上記圧電体層は、(Nax Ky Liz )NbO3 (0<x<1,0<y<1,0<z≦0.05,x+y+z=1)で表されるアルカリニオブ酸化物膜であり、かつそのアルカリニオブ酸化物膜の結晶構造が常温で正方晶であることを特徴とする圧電薄膜を用いた素子。

IPC (6件)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H02N 2/00 ,  C04B 35/00

FI (7件)：

H01L41/18 101B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z ,  H02N2/00 A ,  H02N2/00 B ,  C04B35/00 J

Fターム (6件)：

4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA20 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子及び誘電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-274919   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所