特許
J-GLOBAL ID：200903033499161574
エピタキシャルウェーハ製造装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006938
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211652
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】エッジクラウンの発生を防止したエピタキシャルウェーハ製造装置及び製造方法を提供する。【構成】光源16からアルゴンイオンレーザ(波長488nm)を薄膜14の周縁部14aに照射し、その反射光を二次元のCCDプロフィルセンサ18に入射する。反射光を表す電気信号をCCDプロフィルセンサ18からエッジプロフィール測定装置22に入力してエッジクラウン24を検出し、エッジクラウンの発生を表す信号をエッジクラウン検出装置26、制御装置28へ送り、この信号に基づいてモータコントローラ30でウェーハ10の回転速度を約20%増加する。
請求項（抜粋）：
ウェーハを回転させると共に該ウェーハの表面に薄膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェーハ製造装置において、前記表面に平行光を照射する光照射手段と、前記表面で反射された反射光の光軸のずれに基づいて前記表面の平坦度を測定する平坦度測定手段と、前記平坦度測定手段で測定された平坦度に応じて前記ウェーハの回転速度を制御する回転速度制御手段とを備えたことを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。
IPC (2件)：
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