特許

J-GLOBAL ID：200903033503235413

撮像素子

発明者： 黒岩 淳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263928
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112532
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】 高感度化に伴うスミアの悪化や暗電流の増加を軽減した、撮像素子の提供が望まれている。【解決手段】 シリコン基板2表層部に形成された光電変換部3と、光電変換部3から電荷を受けてこれを転送する電荷転送部4と、シリコン基板2表面に形成された絶縁膜5と、電荷転送部4の直上位置に形成されたレジスタ電極6と、レジスタ電極6を覆い、かつ光電変換部3の直上位置の一部を開口した状態で形成された遮光膜8と、遮光膜8を覆って絶縁膜5上に形成されたパッシベーション膜21とを備えた撮像素子20である。パッシベーション膜21がプラズマSiNより屈折率が低く、かつ透光性で絶縁性の材質に形成されている。パッシベーション膜21と遮光膜8との間、及び遮光膜8とレジスタ電極6との間のいずれか一方あるいは両方に、水素を多く含有する材料からなる層間膜22が形成されている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表層部に形成されて光電変換をなす光電変換部と、光電変換部から電荷を受けてこれを転送する電荷転送部と、前記シリコン基板表面に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上にて前記電荷転送部の直上位置に形成配置されたレジスタ電極と、該レジスタ電極を覆い、かつ前記光電変換部の直上位置の一部を開口した状態で形成された遮光膜と、該遮光膜を覆って前記絶縁膜上に形成されたパッシベーション膜と、を備えた撮像素子において、前記パッシベーション膜がプラズマSiNより屈折率が低く、かつ透光性で絶縁性の材質に形成されてなり、該パッシベーション膜と前記遮光膜との間、および遮光膜と前記レジスタ電極との間のいずれか一方あるいは両方に、水素を多く含有する材料からなる層間膜が形成されてなることを特徴とする撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/148

FI (3件)：

H01L 27/14 D ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/14 B