特許
J-GLOBAL ID：200903033503664098
半導体ウェーハの中間膜平坦化装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014539
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021028
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ表面を平坦にするために改善された装置と方法の提供。【構成】 半導体ウェーハ表面を平坦化するパッド。そのパッドは20以上の層から成る。一つの層はパッドの他の区分と異なる水圧モジュールを持つ。
請求項（抜粋）：
次の事を含む半導体ウェーハ平坦化装置マクロ的に平坦な準表面、一対以上の突起それぞれが準表面に接続していることそれぞれが前述準表面から離れたところに外表面を持つことそれぞれが前述準表面からほとんど同じ高さで突起していること離れているスペースは500μmより小さいこととする。前述の突起と準表面を包むように拡がる被膜。前述被膜の外表面はマクロ的に平坦な作業面をもつこと。前述装置は次のことを含む。(a) 平坦化パッド組立て。その構成は次の通り。(i) ベース。(ii)第一層。これは弾性材料でできており、前述のベースに接続し、前述ベースから離れた外表面を持ち、4psi〜20psi の圧縮力が前述第一層にかかった時の水圧モジュールは1psiの圧縮力に対して250psiである。(iii) 第二層。これも弾性材料でできており外表面に一部接続している。前述膜に触れ、すり合わせて上部表面を露出する。前述第二層に任意の圧縮力がかかった時の水圧モジュールは、前述第一層の水圧モジュールより大きい。(iv)液体スラリー研摩媒体。これが前述第二層の平坦化表面にあること。(b) 前述ウェーハを作業面に保持し、かつ、次のうち少なくとも一方に接触する保持機構。(i) 前述平坦化表面(ii)前述スラリー媒体、さらに(c) 少なくとも前述の平坦化パッドの一段と前述保持機構の一機能(前述パッド組立てと保持機構の他の区分に対して)を動かし、前述パッド組立てと前述保持機構の動きによって前述スラリーと前述平坦化表面が前述作業面に接触させ研摩するための動力手段。前述平坦化表面。これは前述作業面を、少なくとも外表面が露出するまで、ミクロ的に平坦にする。すなわち前述作業面と外表面が概ねミクロ的に平坦、共にプレーナーにし、それぞれの外表面が作業面と接したところで止まっている状態にする。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24B 37/04
