不純物のイオン注入方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：福島祥人 (外1名) , 福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289331
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148443
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】低温下または室温下で炭化ケイ素にその結晶性を損なうことなく不純物をイオン注入する方法を提供することである。【構成】室温でp型またはn型の不純物イオン2をSiC基板1に注入しながら、同時にSiC基板1の表面にレーザ光3をパルス状に照射する。これにより、SiC基板1にイオン注入された不純物がレーザ光3により均一に拡散されるとともに、レーザ光3の光反応によりSiC基板1の結晶性の回復および不純物の活性化が行われ、SiC基板1の表面から所定の深さにp型またはn型の不純物ドープ層4が形成される。

請求項（抜粋）：