特許
J-GLOBAL ID：200903033509368822
青色半導体発光素子の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122976
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307528
出願日： 1994年05月12日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ZnSe等II-VI族半導体を成長させた高品質エピタキシャル層を用いた青色半導体発光素子に関し、高効率かつ低損失な青色半導体素子の作製を可能ならしめるためのエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 エッチング液の組成、エッチング温度並びにエッチング量に関し、それぞれ好適な条件が検討された。本発明により提供されたエッチング方法により、電流狭窄構造、電流拡散構造並びに基板の前処理が実現され、好適な青色半導体素子が実現された。
請求項（抜粋）：
基板上にII-VI族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより、少なくとも下側クラッド層、活性層および上側クラッド層の3層構造を含むエピタキシャル層を形成し、このエピタキシャル層にストライプパターンの電流狭窄構造を形成して青色半導体レーザーダイオードを作製する青色半導体発光素子の作製方法において、水100に対し硫酸10以上の容量比率で混合した混合液100cc又は硫酸100ccに対して、二クロム酸カリウムを0.5〜8.0gの比率で添加し調製されたエッチング液を用い、0°C以上70°C以下のエッチング温度で、前記ストライプパターンの両側の領域の前記エピタキシャル層を、少なくとも前記基板に接する前記エピタキシャル層の最下層が残る程度にエッチングする除去工程を備えることを特徴とする青色半導体発光素子の作製方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 29/22
, H01L 33/00
H01L 21/306 B
, H01L 29/22
