特許

J-GLOBAL ID：200903033510626525

表面凹凸構造の作製方法及び太陽電池

発明者： 楊 民挙
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-051513
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258285
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 低コストで高品質の表面凹凸構造を備えたシリコン基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/308 D ,  H01L 31/04 H

Fターム (17件)：

5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043FF04 ,  5F043GG10 ,  5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15 ,  5F051GA20 ,  5F051HA03 ,  5F051HA07