半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-159940
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339012
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】半田ボールとランドとの接合強度を補強する補強用樹脂をマスク用樹脂を必要とせずに容易に安価に設ける。【解決手段】配線基板1のランド部4の周囲を覆うように補強用樹脂膜6を形成し、補強用樹脂膜6の開口部に露出するランド部に半田ボール5を当接して半田ボールを溶融させる。その溶融による表面張力により補強用樹脂膜6の開口部を押し広げ、半田ボールを冷却することにより、補強用樹脂膜6の折り曲げによる弾性力を利用して半田ボール5を支持する構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子を表面に搭載した配線基板の裏面に半田ボールと補強用樹脂を備えた半導体装置において、前記補強用樹脂は前記半田ボールの根元において折り曲げられた膜構造を有し、前記折り曲げによる弾性力で前記半田ボールと前記配線基板の裏面との接合強度が補強されるように構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 , H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 23/12 501 W , H01L 21/92 604 F , H01L 21/92 604 S

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