MIM容量

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322244
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158598
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】従来のMIM容量では金属層-基板間の寄生素子によってMIM容量を使用して構成した回路特性を劣化させることがある。【解決手段】半導体において、金属-絶縁体-金属のサンドイッチ構造によって構成する容量(Metai-Insulator-Metal容量)が、第1の金属層と第2の金属層の間に第1の絶縁層を備え、基板と第2の金属層の間に第3の金属層を備える。さらに、第2の金属層と第3の金属層の間に第2の絶縁層を備え、第3の金属層を接地電位に接続する。第2の金属層-基板間に入れる第3の金属層面積をMIM容量を構成する金属層の面積より小さくすることによって容量のQ値を調整する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1の電極(上部電極)、第2の電極(基板に近い側の下部電極)および前記第1の電極と第2の電極の間に第1の絶縁膜を配置した第1の容量と第2の容量を備え、前記第1の容量と第2の両方の容量の第2の電極と基板間に第3のフローティング電極を有し、前記第1の容量と第2の容量を近接させて配置し、前記第1、第2の容量の両方の第2の電極の面積を同時にほぼ全体と重なり合う様に第3の電極を形成、電気的浮遊状態で配置する構成をなし、前記第1の容量、第2の容量のそれぞれの第1、第2の電極間を、容量として使用する2対のMIM(Metal-Insulator-Metal)容量。

IPC (3件)：

H01L21/822 , H01G4/33 , H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 C , H01G4/06 102

Fターム (9件)：

5E082AB03 , 5E082BB10 , 5E082BC40 , 5E082FG03 , 5F038AC04 , 5F038AC05 , 5F038BH10 , 5F038EZ04 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-308060
特開平1-308060
特開平1-308060

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