特許

J-GLOBAL ID：200903033514984132

高透磁率磁心の製造方法

発明者： 沢 孝雄 ,  橋本 進 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052061
公開番号（公開出願番号）：特開平7-272963
出願日： 1986年09月17日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 透磁率の高い磁心を得ることのできる高透磁率磁心の製造方法を提供する。【構成】 キュリー温度(Tc)が120°C≦Tc≦253°Cの関係を満たし、かつ飽和磁歪定数(λs)が-2×10-6≦λs≦1×10-6の範囲内にあるCo基非晶質合金の薄帯からなる磁心に対して、前記薄帯の幅方向に磁場を印加し、キュリー温度以下の熱処理を行なう。

請求項（抜粋）：

キュリー温度(Tc)が120°C≦Tc≦253°Cの関係を満たし、かつ飽和磁歪定数(λs)が-2×10-6≦λs≦1×10-6の範囲内にあるCo基非晶質合金の薄帯からなる磁心に対して、前記薄帯の幅方向に磁場を印加し、キュリー温度以下の熱処理を行なうことを特徴とする高透磁率磁心の製造方法。

IPC (3件)：

H01F 41/02 ,  C22C 19/07 ,  H01F 1/153