真空成膜装置及び真空成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145974
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】ステップカバレッジに優れ、シャドウイング効果等の悪影響を抑制することができ、しかも均一な膜厚の薄膜を成膜することができる真空成膜装置及び成膜方法を提供する。【構成】基板50上に薄膜を成膜させる真空成膜装置1は、成膜中に、原子、分子、イオン又はラジカルから成る薄膜源を生成する領域12と基板50との間の距離を変える機構20,22,24を備えている。また、基板上に薄膜を成膜させる真空成膜方法は、成膜中に、原子、分子、イオン又はラジカルから成る薄膜源を生成する領域と基板との間の距離を変えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜を成膜させる真空成膜装置であって、成膜中に、原子、分子、イオン又はラジカルから成る薄膜源を生成する領域と基板との間の距離を変える機構を備えていることを特徴とする真空成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/54 , C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-003977
特開平2-298263
特開平4-168271

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