特許
J-GLOBAL ID：200903033520468928
薄膜太陽電池用下部電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050631
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258274
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 金属薄膜のパターニングを容易に行うことができ、基板上に絶縁層が形成されていても絶縁性が損なわれることがない薄膜太陽電池用下部電極の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性を有する基板1上に水溶性インキからなる線状のパターン層3を形成した後、少なくともモリブデンを含む金属薄膜4を全面的に形成し、次いで水洗を行ってパターン層3とともにパターン層3の上に位置する金属薄膜4を除去し、金属薄膜4の一部を線状に除去する。
請求項（抜粋）：
絶縁性を有する基板上に水溶性インキからなる線状のパターン層を形成した後、少なくともモリブデンを含む金属薄膜を全面的に形成し、次いで水洗を行ってパターン層とともにパターン層の上に位置する金属薄膜を除去し、金属薄膜の一部を線状に除去することを特徴とする薄膜太陽電池用下部電極の製造方法。
Fターム (12件)：
5F051AA10
, 5F051BA11
, 5F051CB27
, 5F051CB29
, 5F051CB30
, 5F051EA03
, 5F051EA11
, 5F051EA13
, 5F051EA15
, 5F051FA06
, 5F051FA15
, 5F051GA03
