特許
J-GLOBAL ID:200903033521576457

半導体圧力センサの増幅補償回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-327878
公開番号(公開出願番号):特開平5-164635
出願日: 1991年12月11日
公開日(公表日): 1993年06月29日
要約:
【要約】【目的】 薄膜抵抗として形成することが困難な高抵抗を使用しなくてもセンサ素子のゼロ点の温度特性の補償が可能であって、集積化圧力センサに好適の半導体圧力センサの増幅補償回路を提供することを目的とする。【構成】 半導体圧力センサ素子の出力を増幅する演算増幅器の入力段差動増幅回路の入力トランジスタQ1 ,Q2 のコレクタ電流の比を変化させるトランジスタQ6 ,抵抗R2 を設け、この演算増幅器のオフセット電圧温度ドリフトをセンサ素子の温度特性を打ち消すように発生させる。
請求項(抜粋):
半導体圧力センサ素子から出力された信号を増幅する演算増幅器を有し、前記演算増幅器のオフセット電圧の温度特性は、前記センサ素子の温度特性に応じて設定されていることを特徴とする半導体圧力センサの増幅補償回路。
IPC (2件):
G01L 9/04 101 ,  G01L 19/04
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-051733
  • 特開昭59-217375
  • 特開昭59-168331

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