特許
J-GLOBAL ID：200903033521987120
青色発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252475
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104533
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 500nm付近の発振波長を有する青色発光素子を作製する際、p型層間におけるバンド不連続によるホール注入効率の低下を防ぎ、格子不整合率の極めて小さいDH構造およびイオン注入による電流狭搾構造を有する構造を提供し低しきい値発振を可能とする。【構成】 p型基板上にp-GaInP、p-AlGaInPを形成した上にII-VI族材料を積層する。この構成にするとバンド不連続が小さくなるとともに障壁幅が狭くなりホールは障壁を感じることなく活性層に注入される。また、活性層とクラッド層間の格子不整合率が0.28%以下になるようにDH構造を形成し、活性層にはZnSeをクラッド層にはCdZnSを用いるため結晶欠陥の極めて少ないDH構造が得られ、屈折率もクラッド層の方が小さいため光も効率よく閉じこめられる。さらにp型クラッド層内にイオン注入領域を形成し、横方向に対する電流狭搾を行う。
請求項（抜粋）：
クラッド層にはさまれた活性層を有するII-VI族化合物半導体からなるダブルヘテロ構造のp型のクラッド層と、p型のIII-VI族化合物半導体からなる基板との間に前記基板のエネルギーギャップから前記p型のクラッド層のエネルギーギャップまで階段状に変化するIII-V族化合物半導体からなるバッファー層を少なくとも2層有することを特徴とする青色発光素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 21/365
, H01L 33/00
