特許
J-GLOBAL ID：200903033524628962
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195771
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040670
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】半導体装置のコンタクトホール形成のために必要となる導電領域の面積を減少させ、半導体装置の高集積化あるいは高速化を容易にする。【解決手段】半導体装置のコンタクトホールを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、複数のサブパターンとこれらを連結するスリット状あるいは階段状のパターンとで構成されるマスクパターンがフォトレジストに転写され、この転写されたフォトレジストをマスクにしたドライエッチングで1個のコンタクトホールが形成される。
請求項（抜粋）：
導電領域と配線層とを接続するためのコンタクトホールの平面形状において、長方形状のコンタクトホールの長辺部にくびれが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, G03F 1/16
, H01L 21/027
H01L 21/90 D
, G03F 1/16 E
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 C
