特許

J-GLOBAL ID：200903033526759827

マスク原盤、マスク、マスクの製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 吉澤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020750
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231599
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】マスク製造の効率を上げ、かつパターンの加工精度を改善できるマスク原盤、マスク、マスクの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の一方の面に薄膜114を形成する工程と、薄膜114上に保護層112を形成する工程と、基板の他方の面側から基板の一部を除去し、薄膜114を局所的に露出させる工程と、薄膜114の露出部分に、所定の波長の電磁波が透過する透過部107と、電磁波が遮断される遮断部103とを設ける工程と、保護層112を除去する工程とを有するマスクの製造方法、その過程で形成されるマスク原盤およびマスクと、それらを用いる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

第1面側に照射される所定の波長の電磁波を、局所的に第2面側に透過させる薄膜と、前記薄膜の前記第1面上に形成された、前記薄膜からの除去が可能である保護層と、前記薄膜の前記第2面上の一部に、前記薄膜を透過した前記電磁波を遮断しないように形成された、前記薄膜を支持する薄膜支持部とを有するマスク原盤。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

G03F 1/16 A ,  G03F 1/16 B ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 551 ,  H01L 21/302 J

Fターム (16件)：

2H095BA08 ,  2H095BA09 ,  2H095BA10 ,  2H095BC19 ,  2H095BC26 ,  2H095BC28 ,  2H095BC30 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EB07 ,  5F046GD07 ,  5F046GD15 ,  5F056AA22 ,  5F056FA05