特許

J-GLOBAL ID：200903033526951264

配線部材の形成方法

発明者： 河渕 靖 ,  谷垣 幸男 ,  春田 亮 ,  西原 晋治 ,  鈴樹 正恭 ,  石田 進一 ,  馬場 毅 ,  鳥居 善三
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212349
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055213
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】基板1上にAl若しくはAl合金の単層膜又はそれを主体とする積層膜で形成される配線4を形成する配線部材において、前記配線4の防食プロセスを確保するとともに、形成プロセスの工程数を削減する。【構成】基板1上に配線4を形成する配線部材において、基板1上に配線形成膜4を形成後、エッチングマスク5を使用し、酸素若しくは窒素を混入したCl系エッチングガスで配線形成膜4にドライエッチングを施し、配線4を形成するとともに、ドライエッチング中に配線4の側壁に酸化被膜4Cを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に配線を形成する配線部材の形成方法において、下記工程(A)乃至工程(D)を備えたことを特徴とする。(A)基板の表面上にアルミニウム膜若しくはアルミニウム合金膜又はそれを主体とする積層膜で形成される配線形成膜を堆積する工程、(B)前記配線形成膜の一部の表面上にエッチングマスクを形成する工程、(C)前記エッチングマスクを使用し、塩素ガス若しくは塩素系ガスを主体とするエッチングガスに酸素若しくは窒素を混入してドライエッチングを行い、配線形成膜のエッチングマスク以外の領域を除去し、エッチングマスク下に残存する配線形成膜で配線を形成するとともに、前記エッチングガス中に混入された酸素若しくは窒素で配線の形成中にこの配線の側壁に酸化被膜若しくは窒化被膜を形成する工程、(D)前記エッチングマスクを除去する工程。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N