特許

J-GLOBAL ID：200903033528066659

半導体装置

発明者： 岡村 久宣 ,  坂本 征彦 ,  秋山 浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344272
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175378
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 熱膨張率の異なる部材を接合によって複合化した場合の変形及び破壊を防止し、品質における信頼性の高い複合体及び放熱特性に優れ、品質に対する信頼性の高い半導体装置の提供。【構成】 熱膨張率の異なる部材の間の少なくとも一側面に金属化層が形成されたCFRCを配置し、複合化されていることを特徴とする複合体、及び半導体素子が搭載されたセラミックス基板と、これを支持する金属支持板とを、接合材を介して接続する構造の半導体装置において、当該セラミックス基板と金属支持板との間に、及び/又は半導体素子とセラミックス基板との間にCFRCを配置して構成されていることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体素子が搭載されたセラミック基板と、これを支持する金属支持板とを有する半導体装置において、当該セラミックス基板と金属支持板との間、又は半導体素子とセラミックス基板との間の少なくともいずれか一方に、炭素繊維強化炭素複合材を配置して構成されていることを特徴とする半導体装置。