特許

J-GLOBAL ID：200903033531360185

半導体スイッチ素子

発明者： ロバート・チャールズ・アイアンズ
出願人/特許権者： ウェスティングハウス、ブレイク、アンド、シグナル、ホールディングス、リミテッド
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312154
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229192
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】改良された半導体スイッチ素子の提供。【解決手段】第1伝導型のシリコン基体11であって、ベース領域を形成するために、第1の表面に反対の伝導型ドープ領域18をもち、第2のの表面に反対の伝導型ドープ材料の細片12をもつシリコン基体を含んでいる。反対の伝導型材料の高ドープ分節領域12aは、細片の横方向の境界の範囲内に完全に横たわり、それぞれが細片の境界に向く各側面に第1の幅のマージンを含むように横方向の境界に位置合わせされる。第1伝導型材料の更なるドープ領域13は、細片の境界に向く各側面に第2の幅のマージンを含んでいる。第1および第2のマージンが、金属-絶縁体-シリコンゲートチャンネルのために更なる領域と基体との間の反対の伝導型材料の中にあり、分節領域12aおよび更なる領域13、のそれぞれの表面がソースターミナルとして用いるための共通のオーム性接続接点を備えている。

請求項（抜粋）：

第1の伝導型のシリコン基体であって、その中にベース領域を形成するために、第1の表面に反対の伝導型ドープ領域をもち、かつ第2の、反対の表面に前記反対の伝導型ドープ材料の細片をもつシリコン基体と、前記細片の横方向の境界の範囲内に完全に横たわり、それぞれが細片の境界に向く各側面に第1の幅のマージンを含むように横方向の境界に位置合わせされた前記反対の伝導型材料の高ドープ分節領域と、前記分節領域を分割し、それぞれが細片の境界に向く各側面に第2の幅のマージンを含んだ前記第1の伝導型材料の更なるドープ領域とを含み、前記第1および第2のマージンが、金属-絶縁体-シリコンゲートチャンネルのために前記更なる領域と前記基体との間の前記反対の伝導型材料の中にあり、前記分節領域および前記更なる領域のそれぞれの表面がソースターミナルとして用いるための共通のオーム性接続接点を備えることを特徴とする半導体スイッチ素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/74 N ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 655 A