特許

J-GLOBAL ID：200903033541021583

不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの消去及び書き込み方法

発明者： 小山 博
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-113688
出願日： 1998年10月08日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリの消去時間を外部から任意に設定可能にするとともに、チップ面積を減少する。【解決手段】 消去モード信号ERASE及び書き込みモード信号PROGを直接外部から供給することのできる外部端子を設けることにより、外部から任意の消去時間及び書き込み時間が設定可能となる。

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性メモリセルがロー及びカラムに配置されたメモリセルアレイと、該メモリセルアレイのローアドレス及びカラムアドレスを指定するローアドレスデコーダ及びカラムアドレスデコーダと、消去モード信号または書き込みモード信号により前記メモリセルアレイの指定された領域の消去または書き込みを制御する制御回路と、該制御回路によって消去モード時または書き込みモード時に高電圧を発生する高電圧発生回路と、前記消去モード信号または書き込みモード信号が印加される外部端子とを備え、前記外部端子に印加する消去モード信号または書き込みモード信号のタイミングにより消去または書き込みが制御されることを特徴とする不揮発性メモリ。

FI (2件)：

G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 611 E

Fターム (5件)：

5B025AA07 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD10 ,  5B025AD15