特許

J-GLOBAL ID：200903033543337553

熱伝導性が高いダイヤモンドの製造方法

発明者： エリック・オドマンド・アインセット
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252110
公開番号（公開出願番号）：特開平8-231297
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年09月10日
要約：

【要約】【課題】 熱伝導性の高いダイヤモンド、特に、薄膜面に対して垂直方向と平行方向の全体において熱伝導率が改良された連続ダイヤモンド薄膜の製法。【解決手段】 熱伝導率が調節されたダイヤモンド層を少なくとも2つもつ連続したCVDダイヤモンド薄膜を製造する方法が開示されている。この薄膜はダイヤモンド薄膜面に平行な方向の熱伝導率が改良されていて、そのダイヤモンド薄膜は横方向熱放散能が増大している。また、化学蒸着によって熱伝導性の高いダイヤモンドを蒸着する時間を短縮する方法も開示されている。

請求項（抜粋）：

熱伝導率が調節された層を少なくとも2つ有する連続したダイヤモンド薄膜を形成する方法であって、(a)成長速度を高める温度に維持された基体上に、ダイヤモンド結晶の連続柱状構造を有する熱伝導率が調節された第一の層を、化学蒸着により高い成長速度で析出させ(この第一の層は、ダイヤモンド薄膜面に対して垂直な方向の熱伝導率が高い)、(b)前記第一の層の際に使用した基体温度より低い温度に前記基体を維持し、前記第一の層の上に前記高い成長速度より低い成長速度で、前記ダイヤモンド結晶の柱状構造を遮断することなく、熱伝導率が調節された第二の層を化学蒸着により析出させ続ける(この第二の層は、ダイヤモンド薄膜面に対して垂直な方向および平行な方向の熱伝導率が高い)ことからなる方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/22 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/04 G ,  C30B 25/22 ,  H01L 21/205