特許
J-GLOBAL ID：200903033543739090
微細加工装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049713
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267940
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板上に微細な酸化膜及び窒化膜を形成する。又、シリコン基板上の金属不純物を検出し除去する微細加工を目的とする。【構成】 真空チャンバー又はガス置換用チャンバー120内に、一定の力でシリコン基板105を押すことが可能な電極104を有し、シリコン基板105と電極104間に所定の電流を流すことが可能なバイアス電源115及びシリコン基板105下部に温度制御された加熱用ヒータ106および位置合わせ機構107を有し、又、試料近傍の雰囲気調整用ガス導入ノズル116を有する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバー又は反応ガスの分圧が制御されたチャンバー内に、試料基板と、前記試料基板表面に接触する電極と、前記電極を一定の圧力で前記試料基板に押しつける力制御系と、前記試料基板表面の温度を所定の値に制御する温度制御系と、前記電極と前記試料基板間に所定の電流を流すことが可能なバイアス電源と、前記電極と前記試料基板間に流れる微小電流を検出及び制御する微小電流制御系と、前記微小電流を一定時間積分する積分器と、前記試料基板を連続的に移動する位置合わせ機構と、前記試料基板表面に膜を形成するためのガスを導入するノズルとを設けたことを特徴とする微細加工装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
