特許

J-GLOBAL ID：200903033544033620

積層型圧電素子の製造方法

発明者： 岩瀬 昭夫 ,  伊藤 鉄次 ,  鈴木 健治
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307190
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079313
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】外周面に溝を有するセラミック積層体に一対の外部電極を接合してなる積層型圧電素子を効率良く製造する方法を提供すること。【解決手段】セラミック層11と内部電極層12とを交互に積層してなるセラミック積層体10の外周面に一対の外部電極を接合した積層型圧電素子の製造方法である。この製造方法は、積層体形成工程と、溝形成工程と、電極接合工程とを含む。積層体形成工程は、外周面から内方に控えて内部電極層12の外周端部270を配置した控え面111を、外周面の少なくとも一部に有するセラミック積層体10を形成する工程である。溝形成工程は、セラミック積層体10の外周面のうち控え面111において、内部電極層12の外周端部270に沿って凹み、外周端部270を露出させた溝状の窪み部を形成する工程である。電極接合工程は、絶縁部又は導電部の少なくともいずれか一方を窪み部に形成して一対の外部電極を接合する工程である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミック層と内部電極層とを交互に積層してなるセラミック積層体の外周面に一対の外部電極を接合した積層型圧電素子の製造方法において、 上記外周面から内方に控えて上記内部電極層の外周端部を配置した控え面を、上記外周面の少なくとも一部に有する上記セラミック積層体を形成する積層体形成工程と、 上記控え面において、上記内部電極層の上記外周端部に沿って凹み、該外周端部を露出させた溝状の窪み部を形成する溝形成工程と、 絶縁部又は導電部の少なくともいずれか一方を上記窪み部に形成して上記一対の外部電極を接合する電極接合工程とを有することを特徴とする積層型圧電素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L41/22 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187

FI (3件)：

H01L41/22 Z ,  H01L41/08 S ,  H01L41/18 101D

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 積層型圧電素子及び噴射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088131   出願人：京セラ株式会社