特許

J-GLOBAL ID：200903033546830382

アクティブ画素を有するCMOS撮像アレイ

発明者： ヒシエ, ズ-チャン ,  マックグレイス, アール. ダニエル
出願人/特許権者： ポラロイド コーポレイション
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-530410
公開番号（公開出願番号）：特表平10-500823
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：

【要約】一つ以上の画素(10)を有するイメージセンサ素子であって、各画素(10)は、フォトダイオード等の光感応素子(20)によって発生された電荷を収集するための電荷蓄積領域(22g)を有する、FETチャネル等の可変抵抗(22)を有している、イメージセンサ素子を開示する。可変抵抗(22)の第1端は素子接地(18)に接続されており、固定ソース電圧電位(66)を可変抵抗(22)の第2端(22s)に印加することによって出力信号(28)が画素(10)から得られ、可変抵抗(22)の抵抗値は、収集された電荷によって生成される電場の大きさに対して、比例関係にある。

請求項（抜粋）：

入射する光学的放射(12)を、得られた放射の量に応じた電気的信号出力に変換するためのイメージセンサ素子(100)であって、 該光学的放射(12)を受け取り、得られた放射の量に比例した電荷キャリアを発生するための光感応素子(20)と、 該光感応素子(20)によって発生された該電荷キャリアを収集することによって、電場を生成し、生成された該電場の大きさは収集された該電荷キャリアの量に比例する、電荷蓄積手段(22g)と、 素子接地(18)に接続される第1端を有する可変抵抗手段(22)であって、該可変抵抗手段(22)は該電荷蓄積手段(22g)に反応し、該可変抵抗手段(22)の抵抗は該電荷蓄積手段(22g)によって生成される該電場の大きさに対して相関関係を有する、可変抵抗手段(22)とを有しており、 該イメージセンサ素子(100)は、更に、該可変抵抗手段(22)の第2端(22s)に接続され、該第2端(22s)を実質的に固定電位に維持する固定電位基準電圧源(66)を有し、その結果電流信号出力(28)が生成されることを特徴とする、素子。

IPC (3件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146 ,  H04N 1/028

FI (4件)：

H04N 5/335 E ,  H04N 1/028 A ,  H04N 1/028 Z ,  H01L 27/14 A