特許

J-GLOBAL ID：200903033547799330

半導体ウェハー支持部材接合体の製造方法および半導体ウェハー支持部材接合体

発明者： 藤井 知之
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 細田 益稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268899
公開番号（公開出願番号）：特開2003-080375
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】【課題】セラミックス製の半導体ウェハー支持部材、金属部材および接合層を備える接合体において、接合面の気密性の信頼性を向上させるのと共に、半導体ウェハー支持部材の支持面の平坦度が接合時に低下するのを抑制する。【解決手段】半導体ウェハー支持部材10の接合面10bに第一の金属膜1Aを形成する。金属部材12の接合面12aに第二の金属膜1Bを形成する。第一の金属膜10bと第二の金属膜12aとの間に金属接合材2を介在させる。支持部材10、金属部材12および金属接合材2を含む積層体13を等方加圧しながら、金属接合材2の融点以下の温度で加熱し、半導体ウェハー支持部材10と金属部材12とを拡散接合する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーを支持するセラミックス製の半導体ウェハー支持部材、金属部材、および前記半導体ウェハー支持部材と前記金属部材とを接合する接合層を備えている接合体を製造する方法であって、前記半導体ウェハー支持部材の接合面に第一の金属膜を形成し、前記金属部材の接合面に第二の金属膜を形成し、前記第一の金属膜と前記第二の金属膜との間に金属接合材を介在させて積層体を得、この積層体を等方加圧しながら前記金属接合材の融点以下の温度で加熱することによって、前記半導体ウェハー支持部材と前記金属部材とを拡散接合することを特徴とする、半導体ウェハー支持部材接合体の製造方法。

IPC (7件)：

B23K 20/00 310 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/00 340 ,  B23K 20/14 ,  B23K 20/24 ,  C04B 37/02 ,  H01L 21/68

FI (8件)：

B23K 20/00 310 L ,  B23K 20/00 310 M ,  B23K 20/00 310 N ,  B23K 20/00 340 ,  B23K 20/14 ,  B23K 20/24 ,  C04B 37/02 B ,  H01L 21/68 R

Fターム (40件)：

4E067AA02 ,  4E067AA18 ,  4E067AA26 ,  4E067AD03 ,  4E067AD07 ,  4E067BA05 ,  4E067BB02 ,  4E067DB01 ,  4E067DB03 ,  4E067DC02 ,  4E067DC04 ,  4G026BA02 ,  4G026BA03 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BA19 ,  4G026BB22 ,  4G026BB26 ,  4G026BB27 ,  4G026BB28 ,  4G026BC01 ,  4G026BC02 ,  4G026BD03 ,  4G026BD04 ,  4G026BD06 ,  4G026BF11 ,  4G026BF12 ,  4G026BF31 ,  4G026BF35 ,  4G026BF42 ,  4G026BG03 ,  4G026BG22 ,  4G026BG26 ,  4G026BH06 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031PA14