特許
J-GLOBAL ID：200903033549500723
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171094
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182982
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】本発明は、接続リーク等による信頼性の低下を招かない、電極配線と浅い拡散層とのコンタクトが良好な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】Si基板1の表面にp+ 不純物拡散層17を形成する工程と、p+ 不純物拡散層17の表面にTiSi2 層21を形成する工程と、BをTiSi2 層21からp+ 不純物拡散層17へ熱拡散させる工程とを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に第2導電型の不純物拡散層を形成する工程と、前記不純物拡散層上に前記半導体基板の構成元素を含む金属化合物層を形成する工程と、還元性雰囲気における熱処理により第2導電型の不純物を前記金属化合物層に導入する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/225
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
