ブランキングアパーチャアレイの製造方法、および電子ビーム露光装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-163838
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354418
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】ブランキングアパーチャアレイを使った電子ビーム露光装置において、ブランキングアパーチャアレイを、欠陥を形成することなく作製できる方法を提供する。【解決手段】 Si基板の表面に、ブランキングアパーチャアレイに対応した凹部を形成し、各々の凹部に隣接して偏向電極をめっきにより形成した後、前記基板表面から、めっき下地として使われた導体層を除去し、その後で前記Si基板の裏面をウェットエッチングしてメンブレンを形成する。前記ウェットエッチングは、前記Si基板を、その裏面の一部を除き保護した状態で実行する。

請求項（抜粋）：

複数のアパーチャを形成されたメンブレン上に、前記複数のアパーチャの各々に対応して静電偏向器を形成されたブランキングアパーチャアレイの製造方法において、Si基板上に配線パターンを形成する工程と、前記Si基板上に、前記配線パターンを覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記Si基板中に、前記複数のアパーチャに対応した複数の凹部を形成する工程と、前記絶縁膜中に、前記配線パターンを露出するコンタクトホールを、前記複数の凹部の各々に隣接して形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記複数のコンタクトホールを含むように導体膜を堆積する工程と、前記導体膜を電極にめっきを行ない、前記複数のコンタクトホールの各々において前記配線パターンに電気的に接続された電極を、前記静電偏向器の電極として形成する工程と、前記Si基板の裏面を、ウェットエッチング法により、所定の位置まで除去するウェットエッチング工程とよりなり、前記ウェットエッチング工程は、前記導体膜を除去する工程の後で、前記Si基板を、前記裏面の一部を除いて保護した状態で実行されることを特徴とするブランキングアパーチャアレイの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 541 B , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

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