半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336788
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323362
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は駆動電極群を選択給電するスイッチングトランジスタと駆動回路を絶縁基板上の単結晶シリコン上に形成したアクティブマトリクス型装置である。本発明はスイッチングトランジスタの光リーク電流を減少し、かつ駆動回路の動作をし易くすることを目的とする。【構成】スイッチングトランジスタが形成される領域のシリコン層の厚みを駆動回路が形成される領域のシリコン層の厚みより薄くすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電気絶縁性物質上にある半導体シリコン単結晶膜上に、画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群と前記スイッチ素子群を選択動作させる駆動回路素子群が形成された光弁基板用半導体装置において、画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群が形成される領域の半導体単結晶シリコン層の厚みは、駆動回路素子群が形成される領域の単結晶シリコン層の厚みより薄いことを特徴とする光弁基板用半導体装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-200288
特開昭59-200288
特開昭62-223781

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