特許
J-GLOBAL ID：200903033562284843
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141541
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340812
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 内部回路動作時における副電源供給線の電圧変化を低減しかつ所定電圧レベルへの回復を高速化することのできる階層電源構成を備える半導体装置を提供する。【解決手段】 内部回路(111)の動作開始時、外部電源ノード(101)から所定期間副電源供給線(108)へ電流を供給する。
請求項（抜粋）：
所定レベルの電圧が伝達される主電源供給線、副電源供給線、前記主電源供給線上に伝達される前記所定のレベルの電圧よりも絶対値の大きな電圧を供給するための基準電源ノード、前記副電源供給線上の電圧を一方動作電源電圧として動作する内部回路、および前記内部回路の動作開始指示信号に応答して、前記基準電源ノードと前記副電源供給線との間に電流が流れる経路を形成するスイッチ回路とを備える、半導体装置。
IPC (3件)：
H03K 19/0944
, H03K 19/00
, H03K 19/096
H03K 19/094 A
, H03K 19/00 A
, H03K 19/096 A
