特許
J-GLOBAL ID：200903033565094360

封止方法

発明者：
生津 英夫

生津 英夫 について


出願人/特許権者：
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 について


代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-351774
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158059
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】微細な可動部を備える素子が、より低温の処理(製造)条件で、水分の滲入を抑制した状態に封止できるようにする。【解決手段】封止基板101が貼り合わされたシリコン基板104を、フッ素改質剤の蒸気(気体)からなるフッ素改質雰囲気106の中に配置し、封止層102の露出している面がフッ素改質雰囲気106に晒された状態とする。このフッ素化処理により、封止層102の少なくとも露出している面がフッ素化され、フッ素化封止層112により、MEMS素子105が封止された状態が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に可動部を有する素子が形成された状態とする工程と、 前記素子を収容する空間を備えた状態で前記基板の上に封止層が形成され、前記封止層により前記空間の内部に前記素子が封止された状態とする工程と を少なくとも備え、 前記封止層は、フッ素を含む樹脂から構成されたものである ことを特徴とする封止方法。
IPC (3件)：
H01L 23/10 ,  H01L 21/02 ,  B81C 1/00
FI (3件)：
H01L23/10 B ,  H01L21/02 C ,  B81C1/00
引用特許：
審査官引用 (5件)
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