特許

J-GLOBAL ID：200903033570612124

デュアルダマシン構造のエッチング方法

発明者： 木原 嘉英 ,  岡本 普 ,  稲沢 剛一郎 ,  末正 智希
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317661
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124568
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 ハードマスクの肩落ちを抑制可能なデュアルダマシン構造のエッチング方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも1層以上のLowK膜と少なくとも1層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって,肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に,最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも1層以上形成することを特徴とする,デュアルダマシン構造のエッチング方法を提供する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1層以上のLowK膜と少なくとも1層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって:肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に,最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも1層以上形成することを特徴とする,デュアルダマシン構造のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (37件)：

5F004AA04 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004DB00 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-239528   出願人：富士通株式会社
• 微細接続孔の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-231341   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-103644   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-201742   出願人：ソニー株式会社