窒化物系化合物半導体のエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277024
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179027
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】ウエハ内において選択的にかつ結晶にダメージを与えることなく半導体レーザ共振器端面にも使い得る面を出すエッチング方法を提供する。【解決手段】サファイア基板1上にGaNバッファ層2、n-GaN層3、n-AlGaInNクラッド層4、GaN活性層5、p-AlGaInNクラッド層6、p-GaN層7を順次堆積する。次に水素化物雰囲気中での熱処理または水素プラズマ照射を行いp-AlGaInNクラッド層6、p-GaN層7の一部分(H領域)を高抵抗にする。次に、塩酸等の電解液を用いてH領域を選択的に電気分解する。GaN活性層5まで達した後光照射を行いながら、さらに電気分解し、n-GaN層3に達したら電気分解を中止する。最後に窒素等の水素化物ガスを含まない雰囲気で500°C以上の熱処理を行い、H領域から水素原子を放出させてH領域をもとの低抵抗の状態に戻す。

請求項（抜粋）：

p型窒化物系化合物半導体の一部分に選択的に水素原子を拡散させる工程と、前記化合物半導体を電解液に浸して電界をかけて、前記化合物半導体の水素原子を拡散させていない領域をエッチングする工程とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3063 , H01L 33/00 , H01S 5/02

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/02 , H01L 21/306 L

Fターム (17件)：

5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F043AA16 , 5F043BB10 , 5F043DD02 , 5F043DD08 , 5F043DD14 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA22 , 5F073DA23 , 5F073DA32 , 5F073DA35

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭51-003779
特開昭48-076478

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