特許

J-GLOBAL ID：200903033578101820

化学増幅型レジスト組成物

発明者： 及川 朗 ,  田中 裕之 ,  山東 伸明 ,  宮田 修一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127659
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323590
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【目的】 レジスト膜表層部分での酸の消費による影響を低減して、解像性に優れ且つ良好なパターン形状を得ることができる化学増幅型レジスト組成物を提供する。【構成】 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、2種以上の酸発生剤を含有してなる。好ましくは、酸発生剤のうちの少なくとも1種はレジスト膜の現像液への溶解性を変化させる反応に実質的に寄与する化合物であり、他のものはこの化合物に比べて該反応に寄与しにくいか又は該反応に実質的に寄与しない化合物である。

請求項（抜粋）：

電離放射線の照射により酸を発生する化合物又は酸の発生を促進する化合物を2種以上含有してなることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027