特許

J-GLOBAL ID：200903033578961764

X線マスク及びその製造方法

発明者： 伊東 敏雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-304990
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162395
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 高精度で容易なX線マスクの製造方法の提供。【構成】 シリコン基板10の表面に、メンブレンとなる厚さ2μmのSiN膜14を形成する。次に、シリコン基板10の第1主表面12a側のSiN膜14a上に、スパッタ法を用いて厚さ0.5μmのオスミウム(Os)膜18を成膜する。次に、Os膜18上に、耐酸素プラズマ性を有する材料であるSiO2 膜20をCVD法により、膜厚0.05μmに成膜する。次に、SiO2 膜20上に、レジストパターン22を形成する。次に、レジストパターン22のパターンをSiO2 膜20に転写する。次に、SiNのエッチングマスクパターン20aを介して、Os膜18に対してO2 -RIEを行って、X線吸収体パターン18aを形成する。

請求項（抜粋）：

X線透過性薄膜上に、オスミウム(Os)からなるX線吸収体パターンを具えてなることを特徴とするX線マスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 H