特許
J-GLOBAL ID：200903033592593808
緩やかな傾斜を有する酸化膜パターン形成のための半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206750
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087310
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 側面が緩やかな傾斜角度を有する酸化膜パターンを形成するための半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に上部層に行くに従ってその蒸着温度が低い多層の異種接合酸化層、あるいはその熱処理温度が低い多層の異種接合酸化層を形成し、前記多層の酸化層を選択的にエッチングしてその側壁が斜めになる酸化膜パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に上部層に行くに従ってその蒸着温度が低い多層の異種接合酸化層を形成する段階と、前記多層の酸化層を選択的にエッチングしてその側壁が傾斜した酸化膜パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする緩やかな傾斜を有する酸化膜パターン形成のための半導体素子の製造方法。
引用特許：
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