特許

J-GLOBAL ID：200903033596084126

誘電体キャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法

発明者： 香取 健二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155390
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349254
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 下部電極の密着性を確保しつつ、特性の劣化を改善することができる誘電体キャパシタ,メモリおよびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 下地部11の上に下部電極12,誘電体膜13および上部電極14を順次備える。下部電極12は、下地部11の側から順にIrHfを含む密着層12c,Irを含む貴金属層12d,IrHfOを含む酸素含有層12a,Irを含む貴金属層12bを積層して有する。誘電体膜13を形成するに際し、RTAを行ったのち、RTA時以上の温度での不活性ガス熱処理を行うか、または還元熱処理を行いフォーミングアニールによる特性の劣化を防止する。ここでは、密着層12cと酸素含有層12aとの間に貴金属層12dを設けているので、特性の劣化を防止するための不活性ガス熱処理または還元熱処理を行っても、下部電極12の密着性を確保できる。

請求項（抜粋）：

下地部により支持されると共に、誘電体膜に第1の電極と第2の電極とがそれぞれ接続された誘電体キャパシタであって、前記第1の電極は、前記下地部と前記誘電体膜との間に設けられ、酸素を含有する酸素含有層と、この酸素含有層と前記下地部との間に設けられ、白金(Pt),イリジウム(Ir),ルテニウム(Ru),ロジウム(Rh)およびパラジウム(Pd)からなる貴金属元素群のうちの少なくとも1種を含む貴金属層とこの貴金属層と前記下地部との間に設けられた密着層とを備えたことを特徴とする誘電体キャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (4件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (30件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA32 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR13 ,  5F083PR18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34