特許
J-GLOBAL ID：200903033596402870
薄膜の表面処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163540
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 高価な平坦化樹脂を使用せずに、安価な塗布材料を使用しても膜表面の平坦性を向上できるようにすることを目的とする。【構成】 突部13のある第1導体層12が形成されたセラミック基板11上に、突部13の上部が露出するようにレジスト膜14を塗布形成し、このレジスト膜14をマスクとして突部13をエッチング除去する。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の薄膜を形成する第1の工程と、前記第1の薄膜とは異なる材料の第2の薄膜を、前記第1の薄膜表面の凸部以外に形成する第2の工程と、前記第1の薄膜の凸部のエッチング速度が前記第2の薄膜のエッチング速度より早い条件で、前記第1の薄膜の凸部をエッチングする第3の工程とを有することを特徴とする薄膜の表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/306
