特許

J-GLOBAL ID：200903033597443111

高周波モジュール装置及びその製造方法

発明者： 小川 剛 ,  戸川 実栄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-179229
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374069
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 高周波モジュール装置の高周波素子層において薄膜パターンを精度良く形成し、小面積化、小型化を図る。【解決手段】 最上層の主面が平坦化されてなる多層有機プリント基板からなるベース基板2と、ベース基板2の最上層の主面上に一部を高周波受動素子とする第1の薄膜パターン14が第1の絶縁層10を介して形成されてなる第1の高周波回路部15と、第1の高周波回路部15上に一部を高周波受動素子とする第2の薄膜パターン18が第2の絶縁層17を介して形成されてなる第2の高周波回路部19とを備え、第2の高周波回路部19が形成される第1の高周波回路部15のビルドアップ形成面15aが平坦化されている。

請求項（抜粋）：

誘電層を介して導体パターンが積層され、その最上層の主面が平坦化されてなる多層基板部と、上記多層基板部の最上層の主面上に一部を高周波受動素子とする第1の薄膜パターンが第1の絶縁層を介して形成されてなる第1の高周波回路部と、上記第1の高周波回路部の最上層の主面が平坦化されることによりビルドアップ形成面が形成され、このビルドアップ形成面に一部を高周波受動素子とする第2の薄膜パターンが第2の絶縁層を介して形成されてなる第2の高周波回路部とを備えていることを特徴とする高周波モジュール装置。

FI (6件)：

H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 X

Fターム (17件)：

5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346BB20 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC21 ,  5E346CC32 ,  5E346DD12 ,  5E346DD22 ,  5E346EE31 ,  5E346EE33 ,  5E346FF17 ,  5E346GG40