高融点金属膜の堆積方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064063
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275727
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】ステップカバレージと表面モホロジーの両方が良好な高融点金属膜の堆積方法を提供する。【目的】【構成】半導体基板1上もしくは上方に形成したコンタクトホール6もしくはヴィアホールへの高融点金属を材料とした高融点金属膜の堆積方法において、塩素を含むシラン系ガスにより、上記高融点金属の化合物を還元して上記コンタクトホール6もしくはヴィアホールに上記高融点金属または高融点金属化合物8を生成した後、上記高融点金属または高融点金属化合物上に上記高融点金属膜9を堆積する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成したコンタクトホールもしくはヴィアホール内への高融点金属を材料とした高融点金属膜の堆積方法において、塩素を含むシラン系ガスにより、前記高融点金属の化合物を還元して前記コンタクトホールもしくはヴィアホールに前記高融点金属または高融点金属化合物を生成した後、前記高融点金属または高融点金属化合物上に前記高融点金属膜を堆積することとを特徴とする高融点金属膜の堆積方法。

IPC (5件)：

H01L 21/90 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-236451
特開平2-188921
特開昭59-072132

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