特許

J-GLOBAL ID：200903033601678480

半導体装置の製法

発明者： 塚本 雅則 ,  木村 忠之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213752
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055521
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 逆スタガー型のTFTの活性層を構成する多結晶シリコン層に対し、充分に水素化が行えるようにして、TFTの特性の向上を図る。【構成】 P型のシリコン基板1にN型の不純物拡散領域2を形成した後、シリコン基板1上に多結晶シリコン層からなるゲート電極3を形成する。その後、全面にSiO2 からなるゲート絶縁膜4を形成した後、該ゲート絶縁膜4上に薄膜の多結晶シリコン層からなる活性層6を形成して逆スタガー型のP-TFT7を形成する。その後、全面に層間絶縁膜8を形成した後、下層の不純物拡散領域2に通じる開口9を形成する。その後、全面に水素拡散源であるP-SiN膜10を形成した後、水素化アニール処理を施す。その後、上層のP-SiN膜10を完全に除去した後、P-TFT7上に層間絶縁膜8を介してバリアメタル11及びAlSi層12からなるAl配線層13を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に不純物拡散領域を有し、上記半導体基板上に絶縁膜を介して逆スタガー型の薄膜トランジスタが形成された半導体装置の製法において、上記薄膜トランジスタを形成する工程と、上記不純物拡散領域に通じる開口を形成する工程と、上記薄膜トランジスタ上に水素拡散源となる膜を形成する工程と、全面に水素化アニール処理を施す工程と、上記開口を通して上記不純物拡散領域と接続されるAl配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (3件)：

H01L 27/11 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 C