特許
J-GLOBAL ID：200903033605038701
シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037706
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226428
出願日： 1994年02月11日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコン結晶中の酸素析出量を簡便に定量的に評価する。【構成】 チョクラルスキー法により引き上げたシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法において、赤外レーザー光をシリコン結晶に照射し、該赤外レーザー光が前記シリコン結晶内部に存在する酸素析出欠陥により散乱して得られる散乱光より酸素析出欠陥密度を求めるとともに欠陥1個当りの平均散乱光強度を求め、前記酸素析出欠陥密度と;前記平均散乱光強度の平方根と;の積を算出し、この算出結果に基づいて前記シリコン結晶中の酸素析出量を評価する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により引き上げたシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法において、赤外レーザー光をシリコン結晶に照射し、該赤外レーザー光が前記シリコン結晶内部に存在する酸素析出欠陥により散乱して得られる散乱光より酸素析出欠陥密度を求めるとともに欠陥1個当りの平均散乱光強度を求め、前記酸素析出欠陥密度と;前記平均散乱光強度の平方根と;の積を算出し、この算出結果に基づいて前記シリコン結晶中の酸素析出量を評価することを特徴とするシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01J 3/45
, G01N 21/35
