特許
J-GLOBAL ID：200903033605734589
化合物半導体発光ダイオードアレイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242773
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050790
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 電極形成にかかわる製造コストの低減及び歩留まり向上が可能な化合物半導体発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 p型層とn型層とを接合してなる発光部が1つのチップに複数個形成され、これら発光部を駆動するアノード電極7及びカソード電極8が前記チップの光放射側の表面に形成されている発光ダイオードアレイにおいて、前記2つの電極が互いに同型層の表面に形成され、前記アノード電極7から前記カソード電極8までの間に、トンネル接合が形成されている。
請求項（抜粋）：
p型層とn型層とを接合してなる発光部が1つのチップに複数個形成され、これら発光部を駆動するアノード電極及びカソード電極が前記チップの光放射側の表面に形成されている化合物半導体発光ダイオードアレイにおいて、前記2つの電極が互いに同型層の表面に形成され、前記アノード電極から前記カソード電極までの間に、トンネル接合が形成されていることを特徴とする化合物半導体発光ダイオードアレイ。
Fターム (13件)：
5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA08
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA91
, 5F041CB23
, 5F041FF13
