ナノドットを利用した柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185597
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008090
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】超伝導薄膜の種類を問わず、臨界電流密度が少なくとも10倍高い超伝導薄膜を実現するとともに、これを低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】基板2上に島状に形成した基板及び超伝導物質以外の物質からなる三次元形状のナノドット3と、このナノドット3上に成長した超伝導物質からなる柱状欠陥4と、この柱状欠陥に形成した格子欠陥6と、柱状欠陥部分以外の基板上に形成した超伝導薄膜5とからなるナノドットを利用した柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜であり、超伝導物質以外の物質を、基板2の温度、膜厚を制御して堆積し凝集させてナノドット3を形成し、基板2上に超伝導薄膜5を成長させて形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に島状に形成した基板及び超伝導物質以外の物質からなる三次元形状のナノドットまたはナノストライプと、このナノドットまたはナノストライプ上に成長した上記超伝導物質からなる柱状欠陥と、上記柱状欠陥部分以外の上記基板上に形成した上記超伝導物質からなる超伝導薄膜とからなることを特徴とする、ナノドットを利用した柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜。

IPC (4件)：

H01L 39/24 ZAA , H01B 12/06 , H01B 13/00 565 , H01L 39/00

FI (4件)：

H01L 39/24 ZAA B , H01B 12/06 , H01B 13/00 565 D , H01L 39/00 G

Fターム (24件)：

4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113BA01 , 4M113BA04 , 4M113BA07 , 4M113BA14 , 4M113BA15 , 4M113CA35 , 4M113CA36 , 5G321AA02 , 5G321AA03 , 5G321AA04 , 5G321AA05 , 5G321AA06 , 5G321AA07 , 5G321CA03 , 5G321CA04 , 5G321CA21 , 5G321CA27 , 5G321DC23 , 5G321DC24 , 5G321DC25 , 5G321DC27

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平2-237179

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